宝宝惊跳反射什么时候消失
全球存储解决方案领导者铠侠宣布,其采用第九代?BiCS FLASH??3D?闪存技术的?512Gb TLC存储器已开始送样(1)。该产品计划于?2025?年投入量产,旨在为中低容量存储市场提供兼具卓越性能与能效的解决方案。此外,这款产品也将集成到铠侠的企业级固态硬盘中,特别是需要提升?AI?系统?GPU?性能的应用。为应对尖端应用市场的多样化需求,同时提供兼具投资效益与竞争力的产品,铠侠将继续推行“双轨并行
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铠侠 3D 闪存 TLC存储器 闪存 3D闪存
从5月29日美国政府颁布对华EDA禁令到7月2日宣布解除,33天时间里中美之间的博弈从未停止,但对于EDA公司来说,左右不了的是政治禁令,真正赢得客户的还是要靠自身产品的实力。作为芯片设计最前沿的工具,EDA厂商需要深刻理解并精准把握未来芯片设计的关键。?人工智能正在渗透到整个半导体生态系统中,迫使 AI 芯片、用于创建它们的设计工具以及用于确保它们可靠工作的方法发生根本性的变化。这是一场全球性的竞赛,将在未来十年内重新定义几乎每个领域。在过去几个月美国四家EDA公司的高管聚焦了三大趋势,这些趋
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EDA 3D IC 数字孪生
●? ?全新?Innovator3D IC?套件凭借算力、性能、合规性及数据完整性分析能力,帮助加速设计流程●? ?Calibre 3DStress?可在设计流程的各个阶段对芯片封装交互作用进行早期分析与仿真西门子数字化工业软件日前宣布为其电子设计自动化?(EDA)?产品组合新增两大解决方案,助力半导体设计团队攻克?2.5D/3D?集成电路?(IC)?设计与制造的复杂挑战。西门
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西门子EDA 3D IC
优傲机器人 (UR) 是一家领先的协作机器人公司,也是 Teradyne Robotics 的一部分,它推出了 UR Studio,这是一款强大的在线仿真工具,用于优化基于该公司 PolyScope X 先进、开放和 AI 就绪软件平台构建的机器人单元。借助 UR Studio,用户可以测试机器人运动,模拟范围、速度和工作流程,并计算周期时间,从而轻松配置优化的单元,并在部署开始之前实现投资回报最大化。“这一切都与信心和易于部署有关,”Universal Robots 的首席产品官 Tero Tolone
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仿真工具 优化 机器人单元 UR Studio
来自日本东京科学研究所 (Science Tokyo) 的一组研究人员构思了一种名为 BBCube 的创新 2.5D/3D 芯片集成方法。传统的系统级封装 (SiP) 方法,即使用焊料凸块将半导体芯片排列在二维平面 (2D) 中,具有与尺寸相关的限制,因此需要开发新型芯片集成技术。对于高性能计算,研究人员通过采用 3D 堆栈计算架构开发了一种新颖的电源技术,该架构由直接放置在动态随机存取存储器堆栈上方的处理单元组成,标志着 3D 芯片封装的重大进步。为了实现 BBCube,研究人员开发了涉及精确和高速粘合
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2.5D/3D 芯片技术 半导体封装
2025年3月,苹果发布的Mac Studio顶级型号配备了名为「M3 Ultra」的新处理器,并结合了512GB的统一内存。?值得注意的是,最大的进化在于内部处理器和内存,但外部接口也发生了重大进化。上一代机型上的六个Thunderbolt 4接口全部改为Thunderbolt 5。Mac Studio M3 Ultra内部的RE-Timer芯片也是苹果制造的。如右图所示,将机箱底部的盖子取下,里面是电源板,下面是处理器板、冷却风扇和散热器。Mac Studio M2 Ultra对比Mac S
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苹果 Mac Studio
存储设备研发公司Neo Semiconductor Inc.(加利福尼亚州圣何塞)推出了其3D-X-DRAM技术的铟-镓-锌-氧化物(IGZO)变体。3D-X-DRAM 于 2023 年首次发布。Neo 表示,它已经开发了一个晶体管、一个电容器 (1T1C) 和三个晶体管、零电容器 (3T0C) X-DRAM 单元,这些单元是可堆叠的。该公司表示,TCAD 仿真预测该技术能够实现 10ns 的读/写速度和超过 450 秒的保持时间,芯片容量高达 512Gbit。这些设计的测试芯片预计将于 2026 年推出
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Neo Semiconductor IGZO 3D DRAM
中国的研究人员开发了一种开创性的方法,可以为射频传感器构建分辨率低于 10 微米的高纵横比 3D 微结构。该技术以 1:4 的宽高比实现了深沟槽,同时还实现了对共振特性的精确控制并显着提高了性能。这种混合技术不仅提高了 RF 超结构的品质因数 (Q 因子) 和频率可调性,而且还将器件占用空间减少了多达 45%。这为传感、MEMS 和 RF 超材料领域的下一代应用铺平了道路。电子束光刻和纳米压印等传统光刻技术难以满足对超精细、高纵横比结构的需求。厚度控制不佳、侧壁不均匀和材料限制限制了性能和可扩展性。该技术
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3D 射频传感器
Sandisk Corp. 正在寻求 3D-NAND 闪存的创新,该公司声称该创新可以取代基于 DRAM 的 HBM(高带宽内存)用于 AI 推理应用。当 Sandisk 于 2025 年 2 月从数据存储公司 Western Digital 分拆出来时,该公司表示,它打算在提供闪存产品的同时追求新兴颠覆性内存技术的开发。在 2 月 11 日举行的 Sandisk 投资者日上,即分拆前不久,即将上任的内存技术高级副总裁 Alper Ilkbahar 介绍了高带宽闪存以及他称之为 3D 矩阵内存的东西。在同
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Sandisk 3D-NAND
随着 SoC 设计日益复杂,形式等效性检查面临更大挑战。为此,Cadence 推出了 Conformal AI Studio——一套全新的逻辑等效性检查(LEC)、自动化ECO(Conformal ECO)和低功耗静态签核解决方案。Conformal AI Studio 结合人工智能和机器学习(AI/ML)技术,可直接满足现代 SoC 团队日益增长的生产力需求。其核心引擎经加速优化,包括分布式低功耗引擎(支持对拥有数十亿实例的设计进行全芯片功耗签核)、全新算法创新以及面向 LEC 和 ECO 解决方案的简
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Conformal AI Studio SoC设计 Cadence
3D DRAM 将成为未来内存市场的重要竞争者。
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3D DRAM
2025年初,全球AIoT平台与服务提供商研华科技宣布推出一款新的软件产品——GenAI Studio,该产品是研华Edge AI SDK的一部分,主要目标是为了满足对成本效益高、本地部署的大语言模型(LLM)解决方案日益增长的需求。加速人工智能发展,应对行业挑战作为研华边缘AI软件开发工具包(Edge AI SDK)的一部分,GenAI Studio致力于解决行业痛点,例如缩短工厂操作员等待关键信息的时间,减轻医疗专业人员的文档工作负担。其无代码、成本效益高的平台简化了大语言模型(LLM)的采用,使企业
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研华 GenAI Studio 边缘AI软件平台
日前,紫光国微在投资者互动平台透露,公司在无锡建设的高可靠性芯片封装测试项目已于2024年6月产线通线,现正在推动量产产品的上量和更多新产品的导入工作,2.5D/3D等先进封装将会根据产线运行情况择机启动。据了解,无锡紫光集电高可靠性芯片封装测试项目是紫光集团在芯片制造领域的重点布局项目,也是紫光国微在高可靠芯片领域的重要产业链延伸。拟建设小批量、多品种智能信息高质量可靠性标准塑料封装和陶瓷封装生产线,对保障高可靠芯片的产业链稳定和安全具有重要作用。
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紫光国微 2D/3D 芯片封装
据媒体报道,近日,研究人员发现了一种使用先进的等离子工艺在3D NAND闪存中蚀刻深孔的更快、更高效的方法。通过调整化学成分,将蚀刻速度提高了一倍,提高了精度,为更密集、更大容量的内存存储奠定了基础。这项研究是由来自Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校和美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室(PPPL)的科学家通过模拟和实验进行的。根据报道,前PPPL研究员、现就职于Lam Research的Yuri Barsukov表示,使用等离子体中发现的带电粒子是创建微电子学所需的非常小但很深的圆孔的最简
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3D NAND 深孔蚀刻
帮助智能边缘设备更可靠、更高效地连接、感知和推断数据的全球领先半导体产品和软件IP授权许可厂商Ceva公司近日宣布屡获殊荣的Ceva-NeuPro-Nano嵌入式AI NPU在人工智能物联网(AIoT)和MCU市场势如破竹,赢得多家客户采用,并且带有涵盖人工智能和嵌入式应用整个软件设计周期的增强型开发套件。Ceva-NeuPro-Nano 32 和 64 MAC NPU(分别为 NPN32 和 NPN64)提供的独特功耗、性能和成本效益组合,是半导体企业和OEM厂商在其 SoC 上部署嵌入式人工智能模型所
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Ceva NPU AI Software Studio
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